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STTH506B-TR	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH506D	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH506DTI	文件：50.09 Kbytes Page：5 Pages	Tandem600VHYPERFASTBOOSTDIODE DESCRIPTION TheTURBOSWITCH“H”isanultrahighperformancediodecomposedoftwo300Vdiceinseries.TURBOSWITCH“H”familydrasticallycutslossesintheassociatedMOSFETwhenrunathighdIF/dt. ■ESPECIALLYSUITEDASBOOSTDIODEINCONTINUOUSMODEPOWERFACTORCORRECTORSANDHARDSWITCHIN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH506FP	文件：128.919 Kbytes Page：9 Pages	Turbo2ultrafast-highvoltagerectifier Description TheSTTH506usesSTTurbo2600Vtechnology.Thisdeviceisspeciallysuitedforuseinswitchingpowersupplies,andindustrialapplications. Featuresandbenefits ■Ultrafastswitching ■Lowreversecurrent ■Lowthermalresistance ■Reducesconductionandswitchin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH506TTI	文件：58.26 Kbytes Page：5 Pages	Tandem600VHYPERFASTRECTIFIER DESCRIPTION TheTURBOSWITCH“H”isanultrahighperformancediodecomposedoftwo300Vdiceinseries.TURBOSWITCH“H”familydrasticallycutslossesintheassociatedMOSFETwhenrunathighdIF/dt. FEATURESANDBENEFITS ■ESPECIALLYSUITEDASBOOSTDIODEINCONTINUOUSMODEPOWERFACTORCORRE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SUR506EF	文件：121.91 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarTypePNPSiliconTransistor Descriptions •Digitaltransistor Features •TwoSRA2205chipsinSOT-563Fpackage •Withbuilt-inbiasresistors	AUK AUK corp	AUK
SUR506EF	文件：256.01 Kbytes Page：5 Pages	EpitaxialplanarPNPsilicontransistor Descriptions •Dualchipdigitaltransistor Features •TwoSRA2205chipsinSOT-563Fpackage •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SVND-M506GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
SZ506C	文件：43.7 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ506C	文件：309.003 Kbytes Page：2 Pages	3W6.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
SR506-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD

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