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SQD45P03-12

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

·TrenchFET® Power MOSFET\n·Package with Low Thermal Resistance\n·AEC-Q101 Qualifiedd;

Vishay

威世科技

SQD45P03-12_V01

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • AEC-Q101 Qualifiedd • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

文件:163.2 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

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SQD45P03-12_V02

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • AEC-Q101 Qualifiedd • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

文件:162.3 Kbytes 页数:9 Pages

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SQD45P03-12_15

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件:162.23 Kbytes 页数:10 Pages

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威世科技

SQD45P03-12-GE3

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:163.2 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SQD45P03-12-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.02529 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    SQD45P03-12

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 50A 71W P-Ch Automotive

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SQD45P03-12供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00