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SQD45P03-12	文件：163.2 Kbytes Page：9 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • AEC-Q101 Qualifiedd • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：163.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：162.3 Kbytes Page：9 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • AEC-Q101 Qualifiedd • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：162.3 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：180.26 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：180.26 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：182.77 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：182.77 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：234.35 Kbytes Page：11 Pages	Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：234.35 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：187.11 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：248.15 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：248.15 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：179.68 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：179.68 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：179.8 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：179.8 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQD45P03-12	文件：162.56 Kbytes Page：9 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：162.56 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
SQD45P03-12
功能描述：
MOSFET 30V 50A 71W P-Ch Automotive
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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