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SQD40N06-25L-GE3中文资料MOSFET N-CH 60V 30A TO252数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号:
SQD40N06-25L-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
10 |
11200 |
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VISHAY |
25+ |
TO-252 |
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威士 |
24+ |
TO-252 |
25836 |
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Vishay / Siliconix |
2025+ |
TO-252-3 |
56303 |
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Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
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VISHAY |
20+ |
TO-252 |
63258 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO252 |
60000 |
全新原装现货 |
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Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
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Vishay(威世) |
2405+ |
Original |
50000 |
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VISHAY SILICONIX |
20 |
优势货源原装正品 |
询价 |