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SQD40N06-25L-GE3 | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | |
SQD40N06-25L-GE3 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号:
SQD40N06-25L-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
20+ |
TO-252 |
1675 |
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询价 | ||
VB |
21+ |
TO-252 |
10000 |
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V |
22+ |
TO-252 |
6000 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
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V |
22+ |
TO-252 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2-L |
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TO-252 |
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TO-252 |
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TO-252 |
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更新时间2025-6-16 9:16:00
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