| 订购数量 | 价格 | 
|---|---|
| 1+ | 
首页>SQ2361EES-T1-GE3>芯片详情
SQ2361EES-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V英科美电子
- 详细信息
 - 规格书下载
 
产品属性
- 类型
描述
 - 型号:
SQ2361EES-T1-GE3
 - 功能描述:
MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V
 - RoHS:
否
 - 制造商:
STMicroelectronics
 - 晶体管极性:
N-Channel
 - 汲极/源极击穿电压:
650 V
 - 闸/源击穿电压:
25 V
 - 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
 - RDS(导通):
0.014 Ohms
 - 配置:
Single
 - 安装风格:
Through Hole
 - 封装/箱体:
Max247
 - 封装:
Tube
 
供应商
相近型号
- SQ2361ES-T1_GE3
 - SQ2361CEES-T1_GE3
 - SQ2361ES-T1_GE3IC
 - SQ2361ES-T1-BE3
 - SQ2361AEES-T1-GE3IC
 - SQ2361ES-T1-E3
 - SQ2361AEES-T1-GE3
 - SQ2361ES-T1-GE3
 - SQ2361AEES-T1-E3
 - SQ2361AEES-T1-BE3
 - SQ2361AEES-T1_GE3
 - SQ2361AEEST1_GE3
 - SQ2362
 - SQ2361AEES-T1_BE3
 - SQ2362CES-T1_GE3
 - SQ2361AEES-T1
 - SQ2362ES
 - SQ2361AEES
 - SQ2362ES-T1
 - SQ2362ES-T1_BE3
 - SQ2362EST1_GE3
 - SQ2360EES-T1-GE3
 - SQ2362ES-T1_GE3
 - SQ2360EEST1GE3
 - SQ2362ES-T1-BE3
 - SQ2360EES-T1-E3
 - SQ2362ES-T1-E3
 - SQ2362ES-T1-GE3
 - SQ2351ES-TI-GE3
 - SQ2364EES
 - SQ2364EES-T1_BE3
 - SQ2364EES-T1_GE3
 - SQ2351ES-T1-GE3
 - SQ2364EES-T1-GE3
 - SQ2351ES-T1-E3
 - SQ2389ES
 - SQ2351ES-T1_GE3
 - SQ2389ES-T1
 - SQ2351EST1_GE3
 - SQ2389ES-T1_BE3
 - SQ2351ES-T1_BE3
 - SQ2389EST1_GE3
 - SQ2351ES
 - SQ2389ES-T1_GE3
 - SQ2389ES-T1-E3
 - SQ2389ES-T1-GE3
 - SQ2391ES-T1-GE3
 - SQ2348ES-T1-GE3-VB
 - SQ2348ES-T1-GE3IC
 - SQ2398ES
 



