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SQ2361EES-T1-GE3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

文件:1.12077 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SQ2361EES-T1-GE3

Automotive P-Channel 60 V (D-S)

文件:225.87 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SQ3426AEEV-T1_GE3

TSOP-6

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

SQ4184EY-T1_GE3

SOP8

VISHAY/威世

SQ4184EY-T1_GE3

SOP8

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SQ2361EES-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SQ2361EES-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-18 22:59:00