| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SQ2308ES-T1-GE3>芯片详情
SQ2308ES-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET N-CH D-S 60V TO236诺美思科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SQ2308ES-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N-CH D-S 60V TO236
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
TrenchFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
相近型号
- SQ2309ES
- SQ2308DES-T1-GE3
- SQ2309ES-T1_BE3
- SQ2309EST1_GE3
- SQ2308CES-TI-GE3
- SQ2309ES-T1_GE3
- SQ2309ES-T1-E3
- SQ2309ES-T1-GE3
- SQ2309ES-T1-GE3-VB
- SQ2308CES-T1-GE3
- SQ2308CES-T1-E3
- SQ2308CES-T1_GE3IC
- SQ2310CES-T1_GE3
- SQ2308CES-T1_GE3-HXY
- SQ2310CES-T1-GE3
- SQ2308CES-T1_GE3
- SQ2310ES
- SQ2308CEST1_GE3
- SQ2310ES-T1
- SQ2308CES-T1_BE3
- SQ2310ES-T1_BE3
- SQ2308CES-T1
- SQ2310EST1_GE3
- SQ2308CES
- SQ2310ES-T1_GE3
- SQ2308CDS-T1-GE3
- SQ2310ES-T1_GE3-HXY
- SQ2308CDS-T1-E3
- SQ2310ES-T1-E3
- SQ2310ES-T1GE3
- SQ2310ES-T1-GE3
- SQ2308BES-T1-GE3
- SQ2308BES-T1-E3
- SQ2308BES
- SQ2310ES-T1-GE3-VB
- SQ2308
- SQ2305
- SQ2304
- SQ2310ES-TI-GE3
- SQ2303PNF
- SQ2303P72RTN
- SQ2315ES
- SQ2303P36RTN
- SQ2315ES-T1
- SQ2303P36RSM
- SQ2315ES-T1_BE3
- SQ2303P12NF
- SQ2315EST1_GE3
- SQ2315ES-T1_GE3
- SQ2315ES-T1-BE3



