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SPZT2907AT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
SPZT2907AT1G |
参数属性 | SPZT2907AT1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT223 |
功能描述 | PNP Silicon Epitaxial Transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 12:00:00 |
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SPZT2907AT1G规格书详情
简介
SPZT2907AT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的SPZT2907AT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
SPZT2907AT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.6V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,10V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
SOT-223 |
5904 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-223-4 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON |
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SOT223 |
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SOT223 |
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ON/安森美 |
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SMD |
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ON(安森美) |
23+ |
SOT-223 |
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onsemi |
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