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SPZT2222AT1G中文资料NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
SPZT2222AT1G |
参数属性 | SPZT2222AT1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 |
功能描述 | NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 20:00:00 |
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SPZT2222AT1G规格书详情
简介
SPZT2222AT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的SPZT2222AT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
SPZT2222AT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,10V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
18542 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SOT223 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-223 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价SPZT2222AT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-223 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-223-4 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT |
28000 |
只做原装支持检测 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |