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TTA008B	文件：307.37 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistorsSiliconPNPEpitaxialType Applications •PowerAmplifiers •PowerSwitching Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(IC=-0.5A) (2)Lowcollectoremittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) (3)High-speedswitching:tstg=300ns(typ.)(IC=-1A) (4)ComplementarytoTTC015B	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TTC008	文件：169.48 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNTriple-DiffusedType Applications •High-SpeedHigh-VoltageSwitching •SwitchingVoltageRegulators •High-SpeedDC-DCConverters Features (1)Highcollector-emittervoltage:VCEO=285V,VCES=600V (2)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(IC=0.3A) (3)Excellentswitchingtimes:tf=0.1μs(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UBF-A008	文件：215.17 Kbytes Page：1 Pages	5.2Øx20mm	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
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UBM-A008	文件：151.18 Kbytes Page：1 Pages	5.2Øx20mm	CONQUERConquer Electronics Co., Ltd. 功得电子功得电子工业股份有限公司	CONQUER
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