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SPU08P06P

SIPMOS Power-Transistor

文件:113.94 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SPU08P06P

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:939.54 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPU08P06P

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251

Infineon

英飞凌

08P06P

SIPMOS짰 Power-Transistor

文件:605.25 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

F08P06S

Dual-P Enhancement MOSFET

Features  VDS=-60V, ID=-8A  RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

文件:219.99 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

SPB08P06P

SIPMOS Power-Transistor

文件:96.95 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    SPU08P06

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多SPU08P06供应商 更新时间2025-11-1 9:38:00