SIPMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

丝印：08P06P；Package：PG-TO252-3；SIPMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

Dual-P Enhancement MOSFET

Features  VDS=-60V, ID=-8A  RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

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GWSEMI

唯圣电子

SIPMOS Power-Transistor

文件：96.95 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：297.89 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电