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SPU02N60S5规格书详情
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC0) for target applications
产品属性
- 型号：
SPU02N60S5
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO251-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-251 |
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