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SPP20N65C3XKSA1

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

文件:622.31 Kbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

SPP80P06P

TO-220

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

INFINEON/英飞凌

SPPH

SMD

SPS-01T-187

CONN

JST/日压

SP-T2A-F32.768KHZ

SMD

SEIKO

详细参数

  • 型号:

    SPP20N65C3XKSA1

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SPP20N65C3XKSA1供应商 更新时间2025-12-10 10:19:00