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SPP80P06PH	文件：967.31 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPP80P06P	文件：334.1 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SPB80P06P	文件：96.2 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPB80P06PG	文件：613.52 Kbytes Page：11 Pages	SIPMOS횘Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
UTT80P06	文件：129.58 Kbytes Page：3 Pages	80A,60VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WSR80P06	文件：935.12 Kbytes Page：6 Pages	P-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK

详细参数

型号：
SPP80P06P
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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