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HGTP20N60C3	文件：153.1 Kbytes Page：8 Pages	45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonly moderately	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTP20N60C3	文件：81.67 Kbytes Page：7 Pages	45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTP20N60C3R	文件：107.72 Kbytes Page：6 Pages	40A,600V,RuggedUFSSeriesN-ChannelIGBTs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISPP20N60C3	文件：339.04 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW20N60C3	文件：335.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA20N60C3	文件：313.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA20N60C3	文件：1.83839 Mbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyWorldwidebestRDS(on)inTO220Ultralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA20N60C3	文件：314.6 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB20N60C3	文件：788.12 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB20N60C3	文件：189.21 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPP20N60C3X
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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更多SPP20N60C3X供应商更新时间2025-5-15 15:00:00

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