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SPP20N60C3中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

SPP20N60C3

功能描述

Cool MOS Power Transistor

丝印标识

20N60C3

封装外壳

TO-220-3-1

文件大小

314.6 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 17:57:00

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SPP20N60C3规格书详情

Feature

• New revolutionary high voltage technology

• Worldwide best RDS(on) in TO 220

• Ultra low gate charge

• Periodic avalanche rated

• Extreme dv/dt rated

• High peak current capability

• Improved transconductance

• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

产品属性

  • 型号:

    SPP20N60C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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TO-220-3
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