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SPP11N60C3_V01	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：683.7 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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