首页 >SPP08P06PGMOS(场效应管)>规格书列表
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SIPMOS짰Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Dual-PEnhancementMOSFET Features VDS=-60V,ID=-8A RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司 | GWSEMI | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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