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SPI08N80C3中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SPI08N80C3

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:56:00

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SPI08N80C3规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。
800V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。

特性 Features

特定导通电阻低(R DS(on)* A)

• 输出电容为(E oss)@ 400V 时,能量储存非常低
• 低栅极电荷(Qg)
• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量
• 自1998年以来,英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术

优势:
• 高效率,高功率密度
• 超高成本/性能比
• 高可靠性
• 使用方便
 

应用 Application

• 消费品
• 计算机电源
• 适配器
• 照明
• 太阳能

技术参数

  • 制造商编号

    :SPI08N80C3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :I2PAK (TO-262)

  • VDS max

    :800.0V

  • RDS (on) max

    :650.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :8.0A

  • Ptot max

    :104.0W

  • IDpuls max

    :24.0A

  • VGS(th) min max

    :2.1V 3.9V

  • QG 

    :40.0nC 

  • Rth 

    :1.2K/W 

  • RthJC max

    :1.2K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2450+
TO262
9850
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
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INFINEON
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P-TO262-3-1
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INFINEON/英飞凌
25+
TO-262
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全新原装正品支持含税
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INFINEON/英飞凌
20+
TO-262
10000
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23+
TO-262
50000
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