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SPI08N80C3	文件：360.33 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI08N80C3	文件：331.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.65Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
08N80C3	文件：478.87 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPP08N80C3	文件：339.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.65Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA08N80C3	文件：261.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SPA08N80C3	文件：338.85 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesExtremedv/dtratedHighpeakcurrentcapability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA08N80C3	文件：252.67 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP08N80C3	文件：490.95 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP08N80C3	文件：339.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.65Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPI08N80C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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