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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
OptiMOS짰-PPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS-PPower-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
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P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
P-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
SPD50P03L G
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 50A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
PG-TO252-5 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
12335 |
询价 | |||
Infineon |
24+/25+ |
2500 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
Infineon |
1650+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
INFINE0N |
2020+ |
TO-252 |
3654 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3916 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
INFINEON |
2018+ |
TO-252 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-252-4 |
3132 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
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- XC6501P151HR-G
- XC6501P251HR-G
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