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IPD30N03S2L-20	文件：157.77 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-20	文件：1.01962 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD30N03S2L-20	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-20	文件：261.529 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-20G	文件：1.01939 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD30N03S2L-20G	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD30N03S2L-20 G
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET DISCRETE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳和润天下电子科技有限公司	SPD30N03S2L-202N03L20	INFINEON/英飞凌	22+	TO-252	87786		询价
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