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OptiMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
OptiMOSaPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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