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IPD30N03S2L-07	文件：157.46 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：510.17 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD30N03S2L-07	文件：510.87 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSaPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：658.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：260.04 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
SPD30N03S2L-07 G
功能描述：
MOSFET N-Channel 30V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏和科技有限公司	SPD30N03S2L-07G	INF	24+	TO-252-2	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市华来深电子有限公司	SPD30N03S2L-07G	INFINE0N	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	SPD30N03S2L-07G	I	24+	TO-252	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SPD30N03S2L-07G	INFINE0N	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SPD30N03S2L-07G	INFINEON	DPAK(TO-252)	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市亿顺芯科技有限公司	SPD30N03S2L-07G	INFINEON	2022+	TO-252	57550		询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SPD30N03S2L-07G	INFINEON/英飞凌	22+	SOT-252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价

更多SPD30N03S2L-07 G供应商更新时间2025-5-3 15:36:00

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