| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
50000 |
20+;21+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
22800 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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2500 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
15000 |
21+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2525 DPak (4 Leads + Tab) TO |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-252-5 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
5750 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO252-5 |
22868 |
22+ |
原装现货库存.价格优势 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
2500 |
23+ |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO-252 |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONDPAK(TO-252) |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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INFINEONTO-252/D-PAK |
32500 |
1709+ |
普通 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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infineonP-TO252 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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INFINEON原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌DPAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2525 DPak (4 Leads + Tab) TO |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
SPD100N03S2L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPD100N03S2L图片
SPD100N03S2L04T中文资料Alldatasheet PDF
更多SPD100N03S2L-04功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD100N03S2L04T功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
