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SPD100N03S2L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
100N03S2L-04	文件：1.64113 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.64113 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD18P06PG	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	Infineon
SPEC12110	文件：0 bytes Page：0 Pages	ALPS DIP-6	ALPS 阿尔卑斯上传：深圳市紫诺翔电子科技有限公司	ALPS

详细参数

型号：
SPD100N03S2L-04
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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