首页 >SPD09P06L>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SIPMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
SIPMOSPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevelprueb •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •P-channel •Enhancementmode •LogicLevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant °Qualifiedaccord | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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