首页>SPD08P06P>芯片详情

SPD08P06P_NKGLBDT/南科功率半导体_MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK南科功率半导

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	1

厂家型号：
SPD08P06P
产品分类：
芯片
生产厂商：
NK/南科功率
库存数量：
986966
产品封装：
TO-252
生产批号：
2025+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-22 14:06:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：SPD08P06P品牌：NK/南科功率

国产

芯片型号：
SPD08P06P
规格书：
下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
9 页
文件大小：
598.62 kb
资料说明：
SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

产品属性

类型
描述
型号：
SPD08P06P
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商

企业：
深圳市南科功率半导体有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
柯经理
手机：
18529599598
询价：
电话：
0755-82550454
传真：
0755-82550454
地址：
深圳市福田区华强北新华强H4C003

相关型号

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号