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SPU07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPU07N60S5

文件：262.82 Kbytes

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CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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详细参数

型号：
SPD07N60S5
功能描述：
MOSFET N-CH 600 V 7.3 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPD07N60S5供应商更新时间2024-5-15 16:33:00

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