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SPD04N50C3数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

SPD04N50C3

参数属性

SPD04N50C3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:20:00

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SPD04N50C3规格书详情

描述 Description

Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7.
500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the \"working horse\" of the portfolio.

特性 Features

• Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V
• Low gate charge (Qg)
• Fieldproven CoolMOS™ quality
• CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

优势:
• High efficiency and power density
• Outstanding cost/performance
• High reliability
• Ease-of-use

应用 Application

• Server
• Telecom
• Consumer
• PC power
• Adapter

简介

SPD04N50C3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的SPD04N50C3晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SPD04N50C3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :500.0V

  • RDS (on) max

    :950.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :4.5A

  • Ptot max

    :50.0W

  • IDpuls max

    :13.5A

  • VGS(th) min max

    :2.1V 3.9V

  • QG 

    :22.0nC 

  • Rth 

    :2.5K/W 

  • RthJC max

    :2.5K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

  • Pin Count 

    :3.0Pins 

  • Mounting 

    :SMT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
infineon
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