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SPD01N60C3规格书详情
FEATURES
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号：
SPD01N60C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+23+ |
TO252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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INFINE |
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TO-252 |
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Infineon(英飞凌) |
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infineon |
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TO-252 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
TO252 |
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INFINEON |
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TO-252 |
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INFINEON |
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TO252 |
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