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SP8J66TB1 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 ROHM/罗姆

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1+
  • 厂家型号:

    SP8J66TB1

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ROHM/罗姆

  • 库存数量:

    9350

  • 产品封装:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-6-16 15:00:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:SP8J66TB1品牌:Rohm Semiconductor

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

SP8J66TB1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。制造商Rohm Semiconductor生产封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)/8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的SP8J66TB1晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

  • 芯片型号:

    SP8J66TB1

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    ROHM【罗姆】详情

  • 厂商全称:

    Rohm Semiconductor

  • 中文名称:

    罗姆半导体集团

  • 资料说明:

    MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    SP8J66TB1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    2 个 P 沟道(双)

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    9A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

供应商

  • 企业:

    深圳市宏捷佳电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    李先生/许小姐

  • 手机:

    13717125871/13530520535

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