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SOF-1917-MI	文件：432.56 Kbytes Page：3 Pages	U-Band Wide Mechanical Tuning Bandwidth Gunn Oscillator, 44 to 56 GHz Description: ModelSOF-1917-MIisaU-Band,widemechanicaltuningbandwidthGunnoscillatorthatutilizesahighperformanceGaAsGunndiodeandproprietarycavitydesigntodeliver+17dBmtypicalpowerwithlowAM/FMnoiseandharmonicemissions.Theoscillatorhasacenterfrequencyof50GHz	ERAVANT Eravant	ERAVANT
SPLA1917B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
SPNA1917B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
TZ1917B	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UCC1917	文件：228.07 Kbytes Page：9 Pages	PositiveFloatingHotSwapPowerManager	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1917	文件：73.48 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1917isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1917	文件：208.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1917isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vd	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1917TE	文件：456.77 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1917TE	文件：208.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1917isaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vd	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1917TE	文件：73.48 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1917isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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