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SO630	文件：875.9 Kbytes Page：2 Pages	AMD® EPYC™ 3000 Series ATX Features • 8 DDR4 RDIMM/UDIMM up to 256GB • Expansion: 3 PCIe x16 (up to 6 PCIe x8), 1 PCI, 1 M.2 M Key (PCIe x4 NVMe), 1 M.2 M Key (SATA/PCIe x2 NVMe) • Rich I/O: 2 COM, 8 USB 3.1 Gen1 文件：875.9 Kbytes 页数：2 Pages	DFI 友通资讯	DFI
SO642	文件：36.01 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIALPLANAR NPN TRANSISTOR ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FOR VIDEO AMPLIFIER ■ PNP COMPLEMENT IS SO692 文件：36.01 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SO692	文件：36.1 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIALPLANAR PNP TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FOR VIDEO AMPLIFIER ■ NPN COMPLEMENT IS SO642 文件：36.1 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SO63-1-00	文件：69.94 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE SHIELD TERMINATOR, IMMERSION RESISTANT 文件：69.94 Kbytes 页数：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
SO63-1-55-GA-CL	文件：95.11 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE DEVICE WITH PRE-INSTALLED LEAD IMMERSION RESISTANT 文件：95.11 Kbytes 页数：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
SO63-1-55-GA-CL	文件：106 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE DEVICE WITH PRE-INSTALLED LEAD IMMERSION RESISTANT 文件：106 Kbytes 页数：1 Pages	MACOM	MACOM
SO63-1-55-GA-CL	文件：106 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE* DEVICE WITH PRE-INSTALLED LEAD IMMERSION RESISTANT 文件：106 Kbytes 页数：1 Pages	MACOM	MACOM
SO63-2-00	文件：69.94 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE SHIELD TERMINATOR, IMMERSION RESISTANT 文件：69.94 Kbytes 页数：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
SO63-2-55-GA-CL	文件：95.11 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE DEVICE WITH PRE-INSTALLED LEAD IMMERSION RESISTANT 文件：95.11 Kbytes 页数：1 Pages	TEC 泰科电子	TEC
SO63-2-55-GA-CL	文件：106 Kbytes Page：1 Pages	SOLDERSLEEVE* DEVICE WITH PRE-INSTALLED LEAD IMMERSION RESISTANT 文件：106 Kbytes 页数：1 Pages	MACOM	MACOM

产品属性

产品编号：
SO692
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 30mA，10V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 300V 0.1A SOT23-3

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