SO642分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
SO642 |
参数属性 | SO642 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
36.01 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 21:28:00 |
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SO642规格书详情
SO642属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的SO642晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
■ SILICON EPITAXIALPLANAR NPN TRANSISTOR
■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS
■ HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FOR VIDEO AMPLIFIER
■ PNP COMPLEMENT IS SO692
产品属性
更多- 产品编号:
SO642
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 2mA,20mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 30mA,10V
- 频率 - 跃迁:
50MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 300V 0.1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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