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SN74AUP1G00DBVR	文件：2.44241 Mbytes Page：50 Pages	丝印：H00R；Package：SOT-23(DBV)；SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate 1 Features 1• ESD Performance Tested Per JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II) – 1000-V Charged-Device Model (C101) • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 μA Max) • Low Dynamic-Power Consumption (Cp 文件：2.44241 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR	文件：314.45 Kbytes Page：14 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：314.45 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR	文件：551.68 Kbytes Page：17 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：551.68 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR	文件：987.18 Kbytes Page：22 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：987.18 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR	文件：1.70707 Mbytes Page：36 Pages	Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate 文件：1.70707 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR.B	文件：2.44241 Mbytes Page：50 Pages	丝印：H00R；Package：SOT-23(DBV)；SN74AUP1G00 Low-Power Single 2-Input Positive-NAND Gate 1 Features 1• ESD Performance Tested Per JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II) – 1000-V Charged-Device Model (C101) • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 μA Max) • Low Dynamic-Power Consumption (Cp 文件：2.44241 Mbytes 页数：50 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVR-TP	文件：5.50581 Mbytes Page：10 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE Features « Wide supply voltage range from 0.8V to 3.6V « Inputs accept voltages up to 3.6V o lorr Supports partial-power-down mode « Low static power consumption; lcc=0.5pA (Max.) » ESD Protection Exceeds JESD 22 -2000-V Human-Body Model (A114-A) -200-V Machine Model (A115-A) -1000-V Charg 文件：5.50581 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SN74AUP1G00DBVRE4	文件：987.18 Kbytes Page：22 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：987.18 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVRE4	文件：551.68 Kbytes Page：17 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：551.68 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74AUP1G00DBVRG4	文件：987.18 Kbytes Page：22 Pages	LOW-POWER SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：987.18 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
SN74AUP1G00DBVR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
74AUP
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
与非门
输入数：
2
电压 - 供电：
0.8V ~ 3.6V
电流 - 输出高、低：
4mA，4mA
逻辑电平 - 低：
0.7V ~ 0.9V
逻辑电平 - 高：
1.6V ~ 2V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
6.5ns @ 3.3V，30pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23-5
封装/外壳：
SC-74A，SOT-753
描述：
IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5

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