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SN74ALVC00DR	文件：595.48 Kbytes Page：18 Pages	丝印：ALVC00；Package：SOIC；QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE FEATURES · Operates From 1.65 V to 3.6 V · Max tpd of 3 ns at 3.3 V · ±24-mA Output Drive at 3.3 V · Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 · ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) – 1000-V Charged-Device Model (C101) D 文件：595.48 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DR	文件：725.88 Kbytes Page：16 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：725.88 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DR	文件：754.23 Kbytes Page：16 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：754.23 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DR.B	文件：595.48 Kbytes Page：18 Pages	丝印：ALVC00；Package：SOIC；QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE FEATURES · Operates From 1.65 V to 3.6 V · Max tpd of 3 ns at 3.3 V · ±24-mA Output Drive at 3.3 V · Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 · ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) – 1000-V Charged-Device Model (C101) D 文件：595.48 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DRG4.B	文件：595.48 Kbytes Page：18 Pages	丝印：ALVC00；Package：SOIC；QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE FEATURES · Operates From 1.65 V to 3.6 V · Max tpd of 3 ns at 3.3 V · ±24-mA Output Drive at 3.3 V · Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 · ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) – 1000-V Charged-Device Model (C101) D 文件：595.48 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DRE4	文件：725.88 Kbytes Page：16 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：725.88 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ALVC00DRE4	文件：754.23 Kbytes Page：16 Pages	QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE 文件：754.23 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
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SN74ALVC00DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
SN74ALVC00DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
74ALVC
包装：
管件
逻辑类型：
与非门
输入数：
2
电压 - 供电：
1.65V ~ 3.6V
电流 - 输出高、低：
24mA，24mA
逻辑电平 - 低：
0.7V ~ 0.8V
逻辑电平 - 高：
1.7V ~ 2V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
3ns @ 3.3V，50pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
14-SOIC
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

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