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SN74ABT543A	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543A	文件：435.66 Kbytes Page：18 Pages	OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：435.66 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543A	文件：108.63 Kbytes Page：7 Pages	OCTAL REGISTERED TRANSCEIVER WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：108.63 Kbytes 页数：7 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543A	文件：606.62 Kbytes Page：20 Pages	OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：606.62 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543A	文件：485.43 Kbytes Page：21 Pages	OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：485.43 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543ADBR	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	丝印：AB543A；Package：SSOP；OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543ADBR.B	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	丝印：AB543A；Package：SSOP；OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543ADBRG4	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	丝印：AB543A；Package：SSOP；OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543ADW	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	丝印：ABT543A；Package：SOIC；OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT543ADW.B	文件：543.06 Kbytes Page：20 Pages	丝印：ABT543A；Package：SOIC；OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：543.06 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VCC(Min)(V)：
4.5
VCC(Max)(V)：
5.5
Bits(#)：
8
Voltage(Nom)(V)：
5
F @ nom voltage(Max)(MHz)：
150
ICC @ nom voltage(Max)(mA)：
0.03
tpd @ nom Voltage(Max)(ns)：
6.2
IOL(Max)(mA)：
64
IOH(Max)(mA)：
-32
Operating temperature range(C)：
-40 to 85
Package Group：
SOIC

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