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SN64BCT757DWR	文件：494.34 Kbytes Page：10 Pages	丝印：6BCT757；Package：SOIC；OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) High-Impedance State During Power Up and Power Down Open-Collector Outputs Drive Bus Lines or Buffer-Memory Address Registers Package 文件：494.34 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
SN64BCT757DWR	文件：944.2 Kbytes Page：11 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS 文件：944.2 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
SN64BCT757DWR.A	文件：494.34 Kbytes Page：10 Pages	丝印：6BCT757；Package：SOIC；OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) High-Impedance State During Power Up and Power Down Open-Collector Outputs Drive Bus Lines or Buffer-Memory Address Registers Package 文件：494.34 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
SN64BCT757DWRE4	文件：944.2 Kbytes Page：11 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS 文件：944.2 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
SN64BCT757DWR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）缓冲器，驱动器，接收器，收发器描述：IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC	TI 德州仪器	TI
SN64BCT757DWRE4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）缓冲器，驱动器，接收器，收发器描述：IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
SN64BCT757DWR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
系列：
64BCT
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
缓冲器，非反向
每个元件位数：
4
输出类型：
开路集电极
电流 - 输出高、低：
-，64mA
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
20-SOIC
描述：
IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC

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