SN54SC8T595-SEP数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

SN54SC8T595-SEP 器件包含对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。存储寄存器具有并行三态输出。移位寄存器和存储寄存器分别有单独的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零 (SRCLR) 输入、串行 (SER) 输入和用于级联的串行输出 (QH’)。当输出使能端 (OE) 输入为高电平时，输出处于高阻抗状态。内部寄存器数据不受 OE 端输入的影响。输出电平以电源电压 (VCC) 为基准，并支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。

该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 转 2.5V 输出）。

特性 Features

VID 待定

抗辐射：

单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg

每个晶圆批次的辐射批次验收测试 (RLAT) 电离辐射总剂量 (TID) 高达 30krad(Si)

单粒子瞬变 (SET) 额定值高达 LET = 43MeV-cm2/mg



1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围

单电源电压转换器：

升压转换：

1.2V 至 1.8V

1.5V 至 2.5V

1.8V 至 3.3V

3.3V 至 5.0V



降压转换：

5.0V、3.3V、2.5V 至 1.8V

5.0V、3.3V 至 2.5V

5.0V 至 3.3V





5.5V 容限输入引脚

支持标准引脚排列

速率高达 150Mbps，具有 5V 或 3.3V VCC

闩锁性能超过 250mA，符合 JESD 17 规范

增强型航天塑料：

受控基线

Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层

符合 NASA ASTM E595 释气规格要求

一个制造、封装测试厂

延长了产品生命周期

产品可追溯性