SN54SC4T08-SEP数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

SN54SC4T08-SEP 包含四个独立的双输入与门。每个逻辑门以正逻辑执行布尔函数 Y = A × B。输出电平以电源电压 (V CC) 为基准，并且支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。

该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的上行转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现下行转换（例如 3.3V 至 2.5V 输出）。

特性 Features

• 提供供应商项目图，VID V62/xxx（待定）
• 电离辐射总剂量额定值为 30krad(Si)
• 每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad(Si)

• 单粒子效应 (SEE) 特性：
• 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 43MeV-cm2/mg
• 单粒子瞬变 (SET) 额定值为 43MeV-cm2/mg

• 1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围
• 5/3.3/2.5/1.8/1.2V V CC 单电源电压转换门
• TTL 兼容输入：
• 升压转换：
• 1.8V – 1.2V 的输入
• 2.5V – 1.8V 的输入
• 3.3V – 1.8V、2.5V 的输入
• 5.0V – 2.5V、3.3V 的输入

• 降压转换：
• 1.2V – 1.8V、2.5V、3.3V、 5.0V 的输入
• 1.8V – 2.5V、3.3V、5.0V 的输入
• 2.5V – 3.3V、5.0V 的输入
• 3.3V – 5.0V 的输入



• 5.5V 容限输入引脚
• 5V 时，输出驱动高达 25mA
• 闩锁性能超过 250mA，符合 JESD 17 规范
• 增强型航天塑料 (SEP)
• 受控基线
• 金键合线
• NiPdAu 铅涂层
• 一个组装和测试基地
• 一个制造基地
• 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
• 延长了产品生命周期
• 延长了产品变更通知 (PCN)
• 产品可追溯性
• 符合 NASAs ASTM E595 释气规格要求