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SMUN5314DW1T1G数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号:
SMUN5314DW1T1G
- 功能描述:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
- 系列:
*
- 标准包装:
1
- 系列:
-
- 晶体管类型:
NPN 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
1A 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):
200mV @ 100mA,1A 电流 -
- 集电极截止(最大):
100nA 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE):
300 @ 500mA,5V 功率 -
- 最大:
710mW 频率 -
- 转换:
100MHz
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 包装:
Digi-Reel®
- 其它名称:
MMBT489LT1GOSDKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
20+ |
SOT-363 |
3675 |
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ON |
20+ |
SOT363 |
19570 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT363 |
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ON |
20+ |
SOT-363 |
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ON/安森美 |
2223+ |
SOT-363 |
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ON |
24+ |
SOT363 |
69000 |
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ON |
2023+ |
SOT363 |
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ONSEMI |
2025+ |
55740 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-323-6 |
3022 |
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