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SMUN5314DW1T1G

Complementary Bias Resistor Transistors

文件:180.79 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMUN5314DW1T1G

Complementary Bias Resistor Transistors

文件:147.94 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMUN5314DW1T1G

Dual Bias Resistor Transistors

文件:270.41 Kbytes 页数:34 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SMUN5314DW1T1G

Complementary Bias Resistor Transistors

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    SMUN5314DW1T1G

  • 功能描述:

    TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363

  • RoHS:

    是

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列:

    *

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    -

  • 晶体管类型:

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大:

    710mW 频率 -

  • 转换:

    100MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 其它名称:

    MMBT489LT1GOSDKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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SOT-323-6
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SOT363
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SOT363
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ON Semiconductor
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TO-252-3
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SOT-363
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更多SMUN5314DW1T1G供应商 更新时间2026-10-16 23:00:00