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SMMBTH10-4L分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SMMBTH10-4L |
| 参数属性 | SMMBTH10-4L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
97.09 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-16 23:00:00 |
| 人工找货 | SMMBTH10-4L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SMMBTH10-4L规格书详情
SMMBTH10-4L属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体公司制造生产的SMMBTH10-4L晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Features
• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
SMMBTH10-4LT3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
800MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
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