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SMMBTH10-4L分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

SMMBTH10-4L

参数属性

SMMBTH10-4L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

97.09 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 13:30:00

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SMMBTH10-4L规格书详情

SMMBTH10-4L属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体制造生产的SMMBTH10-4L晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

特性 Features

• S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SMMBTH10-4LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    800MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 4mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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