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SMMBTA56WT3G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
SMMBTA56WT3G |
参数属性 | SMMBTA56WT3G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 |
功能描述 | Driver Transistor |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
109.88 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 14:26:00 |
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SMMBTA56WT3G规格书详情
SMMBTA56WT3G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的SMMBTA56WT3G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Driver Transistor
PNP Silicon
特性 Features
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating:
♦ Human Body Model − 4 kV
♦ Machine Model − 400 V
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and
PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
产品属性
更多- 产品编号:
SMMBTA56WT3G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 100mA,1V
- 频率 - 跃迁:
50MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT-23 |
3000 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
询价 | ||
ON |
21+ |
SOT23 |
6000 |
公司现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ON |
1713+ |
SOT23-3 |
4490 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT-23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
SC-70-3 |
55740 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ON |
24+ |
3000 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
SC-70 |
7957 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 |