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SMMBT6521LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
SMMBT6521LT1G |
| 参数属性 | SMMBT6521LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
250.8 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 12:00:00 |
| 人工找货 | SMMBT6521LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
SMMBT6521LT1G规格书详情
SMMBT6521LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的SMMBT6521LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
SMMBT6521LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 2mA,10V
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
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询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
N/A |
2830 |
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询价 | ||
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2130+ |
SOT23 |
12000 |
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ON/安森美 |
2023+ |
SOT-23 |
6893 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
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24+ |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
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ON(安森美) |
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SOT-23(SOT-23-3) |
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