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SMMBT5551LT3G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SMMBT5551LT3G |
| 参数属性 | SMMBT5551LT3G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | High Voltage Transistors |
| 文件大小 |
183.57 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-14 20:22:00 |
SMMBT5551LT3G规格书详情
High Voltage Transistors
NPN Silicon
Features
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and
PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
SMMBT5551LT3G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的SMMBT5551LT3G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
SMMBT5551LT3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1622+ |
SOT-23-3 (TO-236) |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2021/2022+ |
NA |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 (TO-236) |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
7950 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
ONSEMI |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT-23-3 (TO-236) |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23(TO-236) |
7957 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
