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MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors(NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3904LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingamplifierapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：132.06 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SMMBT3904LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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